太陽能教學(xué)實驗臺設(shè)備中關(guān)于硅材料檢測測試平臺文章由優(yōu)質(zhì)實驗設(shè)備廠家為您提供，歡迎咨詢有關(guān)太陽能教學(xué)實驗臺設(shè)備中關(guān)于硅材料檢測測試平臺周邊問題，或?qū)嶒炘O(shè)備的批發(fā)報價安裝設(shè)計成套咨詢。

在我們的太陽能教學(xué)實驗平臺中，有專門測試硅材料的測試平臺。可用于硅材料檢測的一些實訓(xùn)項目，也可用于硅材料技術(shù)、光伏材料加工及應(yīng)用技術(shù)的一些專業(yè)。該太陽能教學(xué)實驗臺設(shè)計精確，可以根據(jù)常用的測試項目測試一些硅片或相關(guān)產(chǎn)品的電學(xué)性能。該實訓(xùn)平臺可進(jìn)行的實訓(xùn)項目有:

1，電導(dǎo)率測試:

太陽能教學(xué)實驗平臺進(jìn)行電導(dǎo)率測試的原理是:半導(dǎo)體與冷熱探針接觸后，由于載流子的熱運(yùn)動與溫度有關(guān)，熱區(qū)載流子的熱運(yùn)動速度快，冷區(qū)載流子的熱運(yùn)動速度慢，因此在冷熱端形成空穴或自由電子的濃度差，從而產(chǎn)生

2。用四探針法測試硅單晶電阻率:

4探針法是用四個針距約為1毫米的探針同時壓在硅單晶樣品的平面上，用恒流源向外部的兩個探針施加電流，然后用電位計測量中間兩個探針上的壓降，然后根據(jù)推導(dǎo)出的簡化公式，四個探針以等間距排列在同一條直線上，此時探針系數(shù)為常數(shù)

在實際測量工作中，為了計算方便，經(jīng)常使電流I等于探頭系數(shù)C的值，即I=C，因此ρ；=V23時，探針2和3之間測得的電勢差值等于樣品的電阻率

3和少數(shù)載流子壽命測試:

太陽能教學(xué)實驗臺采用電脈沖和光脈沖方法從半導(dǎo)體中激發(fā)不平衡載流子，調(diào)節(jié)半導(dǎo)體的體電阻，電導(dǎo)率增加，樣品電阻減小，因此流過樣品的高頻電流幅度增大。通過測量體電阻或串聯(lián)電阻兩端電壓的變化規(guī)律，觀察半導(dǎo)體材料中不平衡少數(shù)載流子的衰減規(guī)律，從而測量其壽命。

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